应变对单层 MoS2 和石墨烯中自旋轨道诱导能带结构分裂的影响
材料科学
2013-10-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
利用第一性原理计算，研究了应变对单层 MoS2 中价带顶和导带底的自旋轨道诱导分裂以及石墨烯中带隙的影响。基于不变量方法构建有效哈密顿量，描述了这些分裂对各种对称类型应变的依赖关系，并通过拟合理论提取了模型中的参数。这些分裂与声学声子形变势或电子 - 声子耦合矩阵元有关，后者进入了这些材料中依赖于自旋的输运散射理论。
引用
@article{arxiv.1308.2733,
title = {Strain effects on the spin-orbit induced band structure splittings in monolayer MoS2 and graphene},
author = {Tawinan Cheiwchanchamnangij and Walter R. L. Lambrecht and Yang Song and Hanan Dery},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.2733},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 5 figures