自旋轨道与应变对单层 InSb 电学性质的修饰
介观与纳米尺度物理
2020-08-20 v1 材料科学
摘要
本工作中，利用密度泛函理论研究了在双轴应变存在下单层 InSb 的电学性质。此处，我们首先探讨了考虑与不考虑自旋轨道耦合（SOC）时 InSb 的能带结构。考虑 SOC 后电子与空穴有效质量发生改变。电子和空穴有效质量分别降低了两倍和十倍。探讨了不同应变下导带与价带中能谷的位置，并给出了相应的有效质量。施加拉伸应变时，电子和空穴均获得较低的有效质量，而在大拉伸应变下带隙闭合。对有效质量随应变的变化进行了数值拟合，并给出了每条曲线的方程。最后，获得了该材料在不同应变下的功函数。
引用
@article{arxiv.2008.08266,
title = {Spin-Orbit and Strain Induced Modification in Electrical Properties of Monolayer InSb},
author = {Shoeib Babaee Touski},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.08266},
year = {2020}
}