扭曲InSe双层原子与电子结构的第一性原理研究
材料科学
2022-02-28 v1
摘要
通过大规模密度泛函理论研究了扭曲InSe双层的电子性质。谱函数展开（Spectral Function Unfolding）揭示，扭曲体系的电子结构可用具有不同堆垛构型的对齐InSe双层能带结构的特征组合来描述，从而可预测其带隙与空穴有效质量。研究表明，扭曲InSe双层中的空穴有效质量主要受层间距影响。据此，基于Ruiz-Tijerina等人近期发展的模型计算了层内与层间激子束缚能。我们将类似分析应用于三层异质结构InSe/hBN/InSe：其电子结构可很好地由两层InSe单层的能带结构叠加描述，二者通过hBN层存在微弱耦合。
引用
@article{arxiv.2202.12812,
title = {Ab initio study on the atomic and electronic structures of twisted InSe bilayer},
author = {Siow Mean Loh and Nicholas D. M. Hine},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.12812},
year = {2022}
}