InSe中的能带结构、能带偏移、替代掺杂与肖特基势垒
材料科学
2017-09-20 v1
摘要
我们利用密度泛函理论对层状半导体InSe的电子结构进行了全面研究。我们计算了单层和块体材料的能带结构，其带隙使用杂化泛函修正。单层的带隙为2.4 eV。带边态出奇地各向同性。随后计算了异质结构的电子亲和势与能带偏移，这些异质结构将用于隧穿场效应晶体管（TFETs）中。InSe的电离势相当大，类似于HfSe2或SnSe2，因此InSe适合作为TFET中的漏极。随后计算了本征缺陷。对于富Se层，Se吸附原子是最低能量缺陷，而对于富In层，In吸附原子在大部分带隙的费米能级下最稳定。替代施主和受主均被计算为浅能级，且未重构。最后，发现金属的肖特基势垒被强烈钉扎，费米能级被金属诱导带隙态钉扎在价带边上方约0.5 eV处。
引用
@article{arxiv.1702.01144,
title = {Band Structure, Band Offsets, Substitutional Doping, and Schottky Barriers in InSe},
author = {Yuzheng Guo and John Robertson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.01144},
year = {2017}
}