单层 InSe 中电荷密度波与铁磁失稳的共存
材料科学
2023-01-10 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
近期制备的 InSe 单层展现出显著特性，表明该材料具有承载多种多体现象的潜力。在此，我们使用先进多体技术一致地描述了空穴掺杂 InSe 单层中的集体电子效应。为此，我们从第一性原理推导出一个切合实际的电子结构模型，该模型考虑了此材料的最重要特征，包括电子谱中具有显著 van Hove 奇点的平带、强电子-声子耦合以及弱屏蔽的长程库仑相互作用。我们计算了作为带填充函数的温度依赖相图，观察到该系统处于由强电子库仑关联驱动的电荷密度波与铁磁失稳共存的 regime。该 regime 可在实际掺杂水平与足够高温度下实现，并可由实验验证。我们发现电子-声子相互作用在这些效应中不起关键作用，其在不改变定性物理图像的情况下有效抑制了局域库仑相互作用。
引用
@article{arxiv.2107.01132,
title = {Coexisting charge density wave and ferromagnetic instabilities in monolayer InSe},
author = {E. A. Stepanov and V. Harkov and M. Rösner and A. I. Lichtenstein and M. I. Katsnelson and A. N. Rudenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.01132},
year = {2023}
}