考虑库仑相互作用的 CuO 单层材料电子结构

考察了CuO 单层材料的电子结构，纳入了铜和氧原子之间的局部及原子间库仑相互作用。当构建准粒子激发时，对局部库仑相互作用和共价效应进行了精确处理，使用广义紧束缚方法（GTB）。电子系统在八能带 p-d 模型中以孔表示，包括最长程距离为四个最近邻的远程轨道，其参数来自于密度泛函理论计算。使用多带 Hubbard 模型，我们计算了在铜原子强局部库仑相互作用下，随着氧原子相互作用 $U_p$ 和铜-氧原子相互作用 $V_{pd}$ 的不同值，准粒子激发能带、费米面、价带顶部常数能量图、带隙值以及不同轨道对价带顶部状态的贡献的依赖关系。结果表明，系统从以 d 轨道位于价带顶部的绝缘态，转变为由氧轨道主要贡献低能激发的金属态，具体取决于参数 $U_p$ 和 $V_{pd}$ 的取值。