关联系统中准粒子能带结构的从头计算：LDA++方法
强关联电子
2009-10-30 v1
摘要
我们讨论了一种用于描述含有关联d或f电子材料电子结构的现实理论的一般方法。该方法的主要特点是考虑电子自能的能量依赖性，同时忽略其动量依赖性（局域近似）。在强相互作用情形下（U/W>>1——稀土系统），Hubbard-I方法最为适用。从具有约束密度矩阵的精确原子格林函数出发，能带结构问题被表述为f电子的Nmm'泛函问题和巡游电子的标准LDA泛函问题。在中等关联情形下（U/W=1金属-绝缘体转变区域），我们从G. Kotliar等人的动力学平均场迭代微扰方案（IPS）出发，并利用我们的多带原子格林函数。最后，对于弱相互作用情形（U/W<1——过渡金属），我们将N. Bickers和D. Scalapino的自洽图解涨落交换（FLEX）方法推广到现实的多带情形。我们对所有三种区域给出了二维两带模型计算。对于混合价4f化合物TmSe和经典Mott绝缘体NiO，我们使用Hubbard-I方案进行了现实计算，其中精确求解了f(d)壳层的在位多电子问题。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9707127,
title = {Ab initio calculations of quasiparticle band structure in correlated systems: LDA++ approach},
author = {A. I. Lichtenstein and M. I. Katsnelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9707127},
year = {2009}
}
备注
14 pages, Latex, 9 Postscript figures, submitted to Phys. Rev. B