由非局域 LDA+FLEX 实现得到的 V 与 Pd 的局域自能

本着近期发展的 LDA+U 与 LDA+DMFT 方法的精神，我们实现了局域密度近似（LDA）下的密度泛函论与由图论涨落交换（FLEX）近似得到的 $k$- 和 $\omega -$依赖自能的结合。此处的活性希尔伯特空间由相关电子子集描述，这使得表示电荷与自旋磁化率所需的矩阵规模大幅缩减。该方法本质上是微扰的，但计入了泡图与梯图，并累积了在诸如 GW 这类流行方法中缺失的动量分辨自旋涨落物理。作为应用，我们研究了 V 与 Pd 中能带结构上的关联效应。由此计算涌现的 d 电子自能被发现是显著 k 无关的。然而，当我们将计算所得电子质量增强与 LDA+DMFT 比较时，发现对于 Pd 中久悬未决的自旋涨落问题，LDA+FLEX 与实验更为吻合，尽管该结论依赖于模拟中所用哈伯德 $U$ 的特定取值。我们也讨论了近期提出的 k 依赖 FLEX 与 DMFT 结合方案的成果。