O/Cu(001)系统电子结构与几何结构的关系

我们使用基于第一性原理的局部自洽实空间多路散射技术计算了$(2\sqrt{2}\times\sqrt{2})R45^{\circ}$ O/Cu(001)系统的电子结构。氧原子对相邻铜站点的长程Madul 法势产生差异扰动，从而影响局部电子能带。结果表明，氧的电子态与其邻居的电子态进行杂化，导致离子共价混合的键合。与c(2x2) overlayer的结果比较显示，扰动更强且库仑晶格能更高的$(2\sqrt{2}\times\sqrt{2})R45^{\circ}$相具有更强的长程库仑相互作用，这也控制了系统中的电荷转移和化学键合。