氧化亚铜电子结构的共振非弹性X射线散射研究
材料科学
2012-06-18 v1
摘要
本文报道了半导体氧化亚铜Cu₂O电子结构的共振非弹性X射线散射研究。当入射X射线能量调谐至Cu K吸收边时，对应于价带与导带之间电子跃迁的光谱特征出现大幅增强。6.5 eV处的特征可很好地描述为从主要具有Cu 3d特征的占据态到具有混合3d、4s和2p特征的非占据态的带间跃迁。此外，观测到了绝缘带隙，并测量了沿Γ-R方向的下限动量依赖性。这与用角分辨光电子能谱测量的价带色散吻合良好。
引用
@article{arxiv.0904.3937,
title = {Resonant inelastic x-ray scattering study of the electronic structure of Cu$_2$O},
author = {Young-June Kim and J. P. Hill and H. Yamaguchi and T. Gog and D. Casa},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.3937},
year = {2012}
}
备注
7 pages, 6 figures