GW 近似下 MO 氧化物 (M=Mg, Ca, Ti, V) 的电子结构
材料科学
2009-11-07 v3 强关联电子
摘要
利用 GW 近似计算了非磁性一氧化物 MO (M=Mg, Ca, Ti, V) 的准粒子能带结构。绝缘体 MgO 和 CaO 的带隙及占据的氧 2p 态宽度与实验观测一致。在金属 TiO 和 VO 中，源于金属 3d 态的导带变窄。随后，过渡金属 e_g 和 t_2g 态的分波态密度在两者之间显示出增强的谷。通过与 Hartree-Fock 近似和静态 Coulomb 穴加屏蔽交换近似的结果进行比较，详细讨论了静态屏蔽和动力学关联的效应。结果表明，在 TiO 和 VO 中，d-d Coulomb 相互作用因格点内和格点外 d 电子屏蔽而大幅减小。介电函数和能量损失谱也被给出并进行了详细讨论。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110430,
title = {Electronic structure of the MO oxides (M=Mg, Ca, Ti, V) in the GW approximation},
author = {Atsushi Yamasaki and Takeo Fujiwara},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110430},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 5 figures