Mott绝缘体/能带绝缘体异质结理论
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
本文提出了由LaTiO（Mott绝缘体）和SrTiO（能带绝缘体）构成的异质结理论。Ti 电子的能带结构采用最近邻紧束缚近似处理；由La/Sr电荷差异引起的电场及载流子采用Hartree近似处理；而局域相互作用则采用无限制Hartree-Fock方法处理。确定了作为相互作用强度和层数函数的相图，并对光学电导实验做出了预测。一个值得注意的发现是，异质结的边缘通常是金属性的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0404275,
title = {Theory of Mott insulator/band insulator heterostructure},
author = {Satoshi Okamoto and Andrew J. Millis},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0404275},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 9 figures