关联氧化物电子学：作为 Mott 晶体管的 SrVO$_3$/SrTiO$_3$
强关联电子
2015-06-24 v1
摘要
我们采用密度泛函理论加动力学平均场理论，确定了 SrTiO衬底上两层 SrVO呈现绝缘性的物理起源：薄膜几何结构解除了轨道简并，进而触发了 Mott-Hubbard 相变。两层 SrVO正处于 Mott-Hubbard 相变的边缘，因此非常适合 Mott-Hubbard 相变的技术应用：该异质结构对应变、电场和温度高度敏感。栅极电压也可以将绝缘体转变为金属，从而实现了具有理想开 - 关（金属 - 绝缘体）切换特性的晶体管。
引用
@article{arxiv.1312.5989,
title = {Electronics with correlated oxides: SrVO$_3$/SrTiO$_3$ as a Mott transistor},
author = {Zhicheng Zhong and Markus Wallerberger and Jan M. Tomczak and Ciro Taranto and Nicolaus Parragh and Alessandro Toschi and Giorgio Sangiovanni and Karsten Held},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.5989},
year = {2015}
}