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通过强关联钛酸盐的$\delta$掺杂迈向 Mott 设计

材料科学 2015-05-08 v3 强关联电子

摘要

沿 [001] 方向用单层 SrO 掺杂畸变钙钛矿 Mott 绝缘体 LaTiO3_3和 GdTiO3_3,产生了丰富的关联电子结构。通过密度泛函理论与动力学平均场理论的电荷自洽组合进行的现实超晶格研究,揭示了依赖于层和温度的多轨道金属 - 绝缘体转变。界面处的轨道选择性金属层通过轨道极化的掺杂 Mott 态溶解,在两个导电 TiO2_2层之外进入轨道有序绝缘区。我们发现后者内部的散射行为存在巨大差异。在δ\delta掺杂的 GdTiO3_3中打破自旋对称性,导致了铁磁 itinerant 层和铁磁 Mott 绝缘层的块状结构,这些层之间以反铁磁方式耦合。

关键词

引用

@article{arxiv.1411.1637,
  title  = {Towards Mott design by $\delta$-doping of strongly correlated titanates},
  author = {Frank Lechermann and Michael Obermeyer},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1411.1637},
  year   = {2015}
}

备注

17 pages, 9 figures, final version