通过人工设计氧化物超晶格调控关联效应
材料科学
2015-06-15 v1 强关联电子
摘要
第一性原理计算预测，由沿 [001] 方向交替排列的 LaTiO3 和 LaNiO3 层组成的超晶格是一种 S=1 Mott 绝缘体，其 Ni 位点具有大磁矩，Ti 位点磁矩可忽略，且存在由 Ni d 态与 Ti d 态能量差决定的电荷转移隙，这与传统 Mott 绝缘体不同。通过填充氧 p 态并减小 Ni-O-Ni 键角，增强了 Ni 位点上的关联效应。对该超晶格进行少量空穴（电子）掺杂会导致二维单带情形，其中空穴（电子）位于 Ni dx2-y2（Ti dxy）轨道上，并与 NiO2 层中的反铁磁关联自旋耦合。
引用
@article{arxiv.1304.7815,
title = {Engineering Correlation Effects via Artificially Designed Oxide Superlattices},
author = {Hanghui Chen and Chris A. Marianetti and Andrew J. Millis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.7815},
year = {2015}
}
备注
5 figures