尺寸调制硅纳米线中的电子限域
介观与纳米尺度物理
2010-12-22 v1
摘要
基于第一性原理计算，我们展示了由不同长度和直径的氢饱和硅纳米线片段周期性重复连接构成的超晶格，形成了多量子阱结构。超晶格的带隙在实空间中随其直径变化而调制，并产生一个与组成纳米线不同的动量空间带隙。特定的电子态可以被限域在超晶格的窄区或宽区。能带排列的类型以及价带和导带的偏移取决于超晶格的取向以及组成片段的直径。通过自旋极化计算，研究了SiH空位和替代杂质对电子和磁性的影响。具有局域态靠近带边的替代杂质可以实现调制掺杂。通过高温下的从头算分子动力学计算，检验了超晶格结构的稳定性。
引用
@article{arxiv.0907.3591,
title = {Confinement of electrons in size modulated silicon nanowires},
author = {Seymur Cahangirov and Salim Ciraci},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.3591},
year = {2010}
}