基于硅上自组装SiGe纳米晶体的混合超导体-半导体器件
介观与纳米尺度物理
2010-05-12 v1 超导电性
摘要
锗在硅上的外延生长通过一种可控制纳米晶体尺寸、成分和位置的过程导致SiGe纳米晶体的自组装。这种控制水平，加上与硅技术固有的兼容性，可能在纳米电子应用中证明是有用的。在这里，我们报告了通过用铝电极直接接触单个SiGe纳米晶体制成的量子点器件中空穴的限制，以及当量子点与电极强耦合时，混合超导体-半导体器件（如共振超电流晶体管）的产生。对弱耦合量子点的电荷输运测量揭示了离散的能谱，受限的空穴态显示出各向异性的回磁比因子和强的自旋-轨道耦合强度，并具有明显的栅极电压和磁场依赖性。
引用
@article{arxiv.1005.1816,
title = {Hybrid superconductor-semiconductor devices made from self-assembled SiGe nanocrystals on silicon},
author = {G. Katsaros and P. Spathis and M. Stoffel and F. Fournel and M. Mongillo and V. Bouchiat and F. Lefloch and A. Rastelli and O. G. Schmidt and S. De Franceschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.1816},
year = {2010}
}
备注
35 pages, 6 figures