用于可扩展量子比特器件的 highly uniform Ge/Si hut线 的自控生长
介观与纳米尺度物理
2020-06-15 v2
摘要
半导体纳米线在实现自旋量子比特、Majorana费米子、单光子发射器、纳米处理器等纳米尺度器件的发展中起着关键作用。位点可控纳米线的单片生长是下一代需要可寻址性和可扩展性器件的先决条件。在此，结合自上而下的纳米加工和自下而上的自组装，我们报道了在预图案化Si (001)衬底上生长具有可控位置、间距、长度和结构的Ge线。这是通过一种使用SiGe应变弛豫模板且可推广到其他材料组合的新型生长工艺实现的。输运测量显示出电可调的自旋轨道耦合，其自旋轨道长度与III-V材料相似。此外，观察到紧密间距线之间的电容耦合，这凸显了它们作为实现双量子比特门宿主的潜力。所报道的结果开辟了通往具有Si兼容性的可扩展量子比特器件之路。
引用
@article{arxiv.2001.11305,
title = {Self-controlled growth of highly uniform Ge/Si hut wires for scalable qubit devices},
author = {Fei Gao and Jian-Huan Wang and Hannes Watzinger and Hao Hu and Marko J. Rančić and Jie-Yin Zhang and Ting Wang and Yuan Yao and Gui-Lei Wang and Josip Kukučka and Lada Vukušić and Christoph Kloeffel and Daniel Loss and Feng Liu and Georgios Katsaros and Jian-Jun Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.11305},
year = {2020}
}