Gd 硅化物纳米线连接至 Si(111) 步边
凝聚态物理
2009-11-07 v3
摘要
自组装电子器件（如量子点或可开关分子）需要自组装纳米线作为连接器。我们探索了在 Si(111) 步阵列上生长导电 Gd 硅化物纳米线的过程。原子级光滑的纳米线具有较大的横截面比例，在低覆盖率和高生长速率下形成（长度 >1 微米，宽度 10nm，高度 0.6nm）。它们沿 [-1 1 0] 方向平行于步边生长，这与 Gd 硅化物 a 轴方向上 0.8% 的晶格匹配一致，其他方向的匹配差异较大。这种生长机制类似于先前在 Si(100) 上观察到的机制。与 Si(100) 不同的是，这些纳米线始终连接到 Si(111) 的步边，从而可以在规则的步阵列上选择性生长。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0205025,
title = {Gd disilicide nanowires attached to Si(111) steps},
author = {J. L. McChesney and A. Kirakosian and R. Bennewitza and J. N. Crain and J. -L. Lin and F. J. Himpsel},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0205025},
year = {2009}
}
备注
3 pages including 4 figures