硅纳米线：催化生长与电学表征
材料科学
2015-06-25 v1
摘要
名义上未掺杂的硅纳米线（NW）通过催化化学气相沉积法生长。通过使用非晶SiO2、Si3N4或晶体Si衬底上不同的Au催化剂厚度，优化生长过程以控制纳米线直径。对于SiO2衬底，采用Ar等离子体处理以使催化剂聚结均匀化，从而控制纳米线直径。此外，通过将10至30纳米厚的名义上未掺杂的Si-NW作为有源区，制备了平面场效应晶体管（FET）。研究了各种硅化物作为有源区的肖特基势垒源极和漏极接触。对于CoSi、NiSi和PdSi接触，FET的转移特性表现出p型行为。由单根直径为20纳米、栅长为2.5微米的Si-NW构成的FET在1伏偏压下可提供高达0.15微安的导通电流，并具有10^7的开关电流比。这与最近关于未掺杂硅低电导率的报道形成对比。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609308,
title = {Silicon Nanowires, Catalytic Growth and Electrical Characterization},
author = {Walter M. Weber and Georg S. Duesberg and Andrew P. Graham and Maik Liebau and Eugen Unger and Caroline Cheze and Lutz Geelhaar and Paolo Lugli and Henning Riechert and Franz Kreupl},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609308},
year = {2015}
}
备注
accepted for publication in phys. stat. sol. (c)(C) (2006) WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim