硅(111)衬底上垂直 InP 纳米线的密度可控生长
应用物理
2020-12-01 v1 材料科学
摘要
本文报道了一种利用分子束外延的气-液-固方法，在 (111) 硅衬底上实现金催化 InP 纳米线（NWs）密度可控生长的方案。我们开发了一种基于控制 Au-In 催化剂液滴的数量与尺寸以及纳米线成核条件的有效且无掩模的方法。我们表明，通过适当选择 In/Au 催化剂束等效压强（BEP）比、磷 BEP 与生长温度，纳米线密度可在 18 {\mu}m-2 至 < 0.1 {\mu}m-2 范围内调控。利用超低密度优势，同样的调控程度被转移到 InAs/InP 量子点-纳米线上，以通过微光致发光研究单片集成于硅上、发射于通信波段的单根量子点-纳米线的光学性质。低温光学光谱成功证实了我们的方法在原生样品上激发单 InAs 量子点的有效性，这为基于硅上集成的单量子点-纳米线器件的大规模应用开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2003.01637,
title = {Density-controlled growth of vertical InP nanowires on Si(111) substrates},
author = {Ali Jaffal and Philippe Regreny and Nicolas Chauvin and Michel Gendry},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.01637},
year = {2020}
}