通过几何裁剪在 InAs/InP 量子点-纳米线中实现电信波段高线性偏振发射
材料科学
2021-11-23 v1 应用物理
摘要
基于纳米线（NW）的光电器件需要对 NW 几何结构进行特定设计以实现偏振相关光源和光电探测器。我们提出了一种生长工艺，利用分子束外延的气-液-固方法制备具有拉长俯视截面的 InAs/InP 量子点-纳米线（QD-NWs）。通过在 InP 壳层径向生长过程中中断样品旋转，获得了具有长/短截面轴的六方不对称（HA）纳米线，而非通常的对称形状。偏振分辨光致发光测量表明，不对称形状纳米线对 InAs QD 发射偏振有显著影响，光子主要偏振平行于 NW 长截面轴。获得了高达 91% 的线性偏振度（DLP），处于所报道 QD-NWs 的 DLP 值的先进水平。更重要的是，本文的生长协议与 HA 纳米线的当前应用完全兼容，涵盖了从偏振发光二极管到光电探测器等广泛器件。
引用
@article{arxiv.2106.08182,
title = {Highly linear polarized emission at telecom bands in InAs/InP quantum dot-nanowires by geometry tailoring},
author = {Ali Jaffal and Philippe Regreny and Gilles Patriarche and Michel Gendry and Nicolas Chauvin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.08182},
year = {2021}
}
备注
20 pages, 7 figures