针状锥形InP纳米线中的InAs量子点：一种在硅上单片生长的电信波段单光子源
应用物理
2019-11-27 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在硅衬底上实现发射电信波段的单光子源，对于实现能够保障长距离通信安全的互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容器件至关重要。本工作中，我们提出在硅衬底上单片生长针状锥形InAs/InP量子点-纳米线（QD-NWs），其具有小锥角和为支持单模波导而定制的纳米线直径。这种纳米线几何结构是通过在分子束外延的金催化生长过程中，对轴向和径向生长进行受控平衡而获得的。这使我们能够研究锥角对单个InAs/InP QD-NW发射特性的影响。在室温下，从嵌入2°锥形InP纳米线中的单个InAs量子点，展示了电信O波段内具有30°光束发散角的高斯远场发射轮廓。此外，在低温下，对于非共振激发观察到单光子发射，最佳结果是在7°锥形纳米线上获得的。这项全面的研究为在硅上单片生长基于InAs/InP QD-NW的高效电信波段单光子源铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1906.11708,
title = {InAs quantum dot in a needlelike tapered InP nanowire: a telecom band single photon source monolithically grown on silicon},
author = {Ali Jaffal and Walid Redjem and Philippe Regreny and Hai Son Nguyen and Sébastien Cueff and Xavier Letartre and Gilles Patriarche and Emmanuel Rousseau and Guillaume Cassabois and Michel Gendry and Nicolas Chauvin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.11708},
year = {2019}
}