1.5微米InAs/InP单量子线的形成与发射
介观与纳米尺度物理
2010-07-15 v2
摘要
利用原位累积应力测量来调整最佳InAs厚度，生长了孤立的InAs/InP自组装量子线。原子力显微镜成像显示高度不对称的纳米结构，其平均长度超过宽度的十倍以上。对生长态样品的高分辨率光学研究表明，单个量子线在1.5微米处有强烈的光致发光。额外的尖锐特征与量子线自组装过程早期阶段存在的二维InAs层的单层涨落有关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606134,
title = {InAs/InP single quantum wire formation and emission at 1.5 microns},
author = {B. Alén and D. Fuster and Y. González and L. González and J. Martínez-Pastor and M. U. González and J. M. García},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606134},
year = {2010}
}
备注
4 pages and 3 figures submitted to Applied Physics Letters