应变 GaxIn1-xP 层上的超小 In(Ga)As 量子点
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
在 InP 基片上的应变 GaxIn1-xP（0 < x < 0.3）层上生长了 InAs 自组装量子点。我们表明，量子点具有狭窄的垂直尺寸，仅介于 2 到 10 单层之间。量子点层的光致发光光谱由离散的光谱峰组成，这些峰源于量子点高度的离散分布。量子点高度分布取决于 InAs 的总投入量以及 GaxIn1-xP 层下方的 Ga 含量。我们的实验结果得到 8 能级 k·p 模型计算的支持。特别是，我们识别并量化了 Ga 从 GaxIn1-xP 层向量子点中扩散的过程。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0210594,
title = {Ultrasmall In(Ga)As Quantum Dots Grown on Strained GaxIn1-xP Layers},
author = {T. Raz and D. Ritter and G. Bahir and D. Gershoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0210594},
year = {2007}
}
备注
13 pages, including 3 figures and references list