镓终止对滴状外延InGaAs量子点中InGaAs浸润层性质的影响
介观与纳米尺度物理
2023-04-24 v1 材料科学
摘要
基于III-V族半导体的自组装量子点在量子光学应用中具有优异的特性。然而，在量子点的Stranski-Krastanov生长过程中形成的二维浸润层会限制其性能。在此，我们研究通过替代性滴状外延技术生长量子点时的浸润层形成。我们结合光致发光激发光谱、寿命测量和透射电子显微镜，在这些滴状外延量子点中识别出InGaAs浸润层的存在，即便在无可分辨的浸润层光致发光的情况下也是如此。我们观察到，在生长InGaAs量子点之前沉积于GaAs (100)表面的Ga量增加，会导致浸润层的发射波长显著减小，直至在光致发光测量中不再能与GaAs受主峰发射区分开来。
引用
@article{arxiv.2206.01957,
title = {Effect of gallium termination on InGaAs wetting layer properties in droplet epitaxy InGaAs quantum dots},
author = {David Fricker and Paola Atkinson and Mihail I Lepsa and Zheng Zeng and András Kovács and Lidia Kibkalo and Rafal E Dunin-Borkowski and Beata E. Kardynał},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.01957},
year = {2023}
}