InAs/GaAs量子点自组装过程中浸润层的演化及其温度依赖性
介观与纳米尺度物理
2012-11-14 v1
摘要
对于InAs/GaAs(001)量子点系统，利用反射差分光谱研究了浸润层的演化及其温度依赖性，并用速率方程模型进行了分析。浸润层厚度在相对较低的生长温度下单调增加，但在较高温度下先增加后减少，这是热力学理解所意想不到的。通过采用速率方程模型，量子点生长的温度依赖性被归因于不同浸润层演化的起源。还简要讨论了铟脱附。这些结果揭示了量子点自组装的动力学方面。
引用
@article{arxiv.1205.0408,
title = {Wetting layer evolution and its temperature dependence during self assembly of InAs/GaAs quantum dots},
author = {Hongyi Zhang and Yonghai Chen and Guanyu Zhou and Chenguang Tang and Zhanguo Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.0408},
year = {2012}
}
备注
13 pages, 3 figures