生长中断分子束外延生长的自组装InAs/GaAs(001)量子点的演化
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
在连续和生长中断模式下，通过分子束外延在GaAs(001)表面生长的自组装InAs量子点呈现出两类量子点：准三维和三维量子点，其体密度演化由速率方程动力学模型定量描述。在中断期间，小准三维量子点的体密度随时间呈指数下降，而大量子点的单点平均体积通过奥斯特瓦尔德熟化增加。生长动力学涉及准三维量子点以由超应力决定的速率转化为三维量子点，以及浸润层吸附原子的参与。数据分析排除了准三维量子点是生长后冷却效率低下导致的外在表面特征的可能性。
引用
@article{arxiv.0807.2937,
title = {Evolution of self-assembled InAs/Gas(001) quantum dots grown by growth-interrupted molecular beam epitaxy},
author = {A. Balzarotti},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.2937},
year = {2009}
}