分子束外延在 GaAs 上生长的 InAlAs/AlGaAs 量子点的尺寸分布及其标度行为
材料科学
2015-06-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了通过分子束外延 (MBE) 以 Stranski-Krastanov (SK) 模式在 GaAs 上自组装生长的 InAlAs/AlGaAs 量子点 (QDs) 的尺寸分布及其标度行为，实验温度分别为 480{\deg}C 和 510{\deg}C，并作为 InAlAs 覆盖度的函数。首次在三元合金量子点中发现了一种体积标度函数。该函数与 InAs/GaAs 量子点的标度函数相似，这与临界岛尺寸 i = 1 的二维亚单层同质外延模拟的标度函数一致。然而，在大体积尾部也发现了 i = 0 的特征。
引用
@article{arxiv.1208.0109,
title = {Size Distribution and Its Scaling Behavior of InAlAs/AlGaAs Quantum Dots Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy},
author = {X. M. Lu and M. Koyama and Y. Izumi and Y. Nakata and S. Adachi and S. Muto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.0109},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 6 figures