分子束外延自组装硒化铋(Bi2Se3)量子点
材料科学
2020-05-22 v1
摘要
我们报道了利用滴落外延技术在GaAs衬底上通过分子束外延生长自组装Bi2Se3量子点(QDs)。量子点的形成发生在硒束流下对铋液滴进行退火之后。本文给出了通过原子力显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射、高分辨率透射电子显微镜和X射线反射光谱进行的表征。这些量子点呈结晶态、六边形形状，平均尺寸为高度12 nm(12个五重层)、宽度46 nm，密度为。这种滴落生长技术提供了一种以可重复且可控的方式制备拓扑绝缘体量子点的途径，从而方便地获得一种具有奇异自旋特性的有前景的量子材料。
引用
@article{arxiv.1810.05081,
title = {Self-assembled Bismuth Selenide (Bi2Se3) quantum dots grown by molecular beam epitaxy},
author = {Marcel S. Claro and Abhinandan Gangopadhyay and David J. Smith and Maria C. Tamargo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.05081},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 5 figures, submitted material