在无扩展缺陷的 GaAs 上通过分子束外延生长并由 AlAs 封装的 Ge 量子点
材料科学
2014-03-05 v1
摘要
我们展示了近乎球形、无应变、自组装的 Ge 量子点 (QDs)，其完全由 AlAs 封装，并通过分子束外延 (MBE) 生长在 (100) GaAs 上。QDs 的形成未使用润湿层，而是采用了高温原位退火。随后的 AlAs 覆盖生长无 threading 位错和反相畴。Ge 在 AlAs 中的交错能带排列有望为电子和空穴提供强且可调的限域。反射高能电子衍射 (RHEED) 图案随退火从 2x3 变为 2x5，这可以通过基于电子计数模型的表面重构来解释。
引用
@article{arxiv.1311.1448,
title = {Ge Quantum Dots Encapsulated by AlAs Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs Without Extended Defects},
author = {Meng Qi and Chad A. Stephenson and Vladimir Protasenko and William A. O'Brien and Alexander Mintairov and Huili Grace Xing and Mark A. Wistey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.1448},
year = {2014}
}
备注
14 pages, 5 figures, submitted to Applied Physics Letters