具有高均匀性与光谱纯度的金字塔形选位控制量子点的生长与结构表征
光学
2015-05-19 v1
摘要
本工作展示了通过金属有机气相外延技术在图形化GaAs (111)B衬底上生长的金字塔形选位控制InGaAs量子点(QDs)的一些基本特征。这些量子点通过生长前处理在晶片上图形化的金字塔形凹槽内自组装形成。这种生长技术的主要优势在于它能够对量子点成核位置和衬底上受限结构的尺寸进行控制，精度可达亚衬底级别。本文描述了衬底图形化的基本步骤和量子点形成机制，并讨论了其结构细节。讨论了为便于光学表征而所需的后生长工艺，包括表面刻蚀和衬底移除。通过该方法，同时实现了极高的均匀性和创纪录的光谱纯度。
引用
@article{arxiv.1007.1579,
title = {Growth and structural characterization of pyramidal site-controlled quantum dots with high uniformity and spectral purity},
author = {Valeria Dimastrodonato and Lorenzo O. Mereni and Robert J. Young and Emanuele Pelucchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.1579},
year = {2015}
}