具有 GaAs 势垒的高均匀 InGaAs 锥形量子点的物理性质：预图案化衬底中的精细结构劈裂
介观与纳米尺度物理
2011-04-04 v1 量子物理
摘要
嵌入在 GaAs 势垒中、生长在边长为 7 {\mu}m 的倒四面体凹槽中的 InGaAs 量子点，在发射的均匀性和光谱窄度方面表现出了有趣的特性。本文介绍了对其精细结构劈裂（FSS）的研究。对约 40 个单量子点的调查揭示了两个主要观点：（1）该参数的值在不同量子点之间非常相似，再次证明了锥形量子点性质的均匀性；（2）在所研究的样品中，找到具有自然零劈裂的量子点的可能性很小，但所发现的值（平均值为 13 {\mu}eV）应始终保证能够通过某种校正技术（例如施加小磁场）恢复简并性的能力。
引用
@article{arxiv.1104.0212,
title = {Physical properties of highly uniform InGaAs pyramidal quantum dots with GaAs barriers: Fine structure splitting in pre-patterned substrates},
author = {L. O. Mereni and V. Dimastrodonatoa and G. Juskaa and E. Pelucchia L. O. Mereni and V. Dimastrodonatoa and G. Juskaa and E. Pelucchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.0212},
year = {2011}
}
备注
9 pages, 4 figures