面向量子光子学应用的高品质单InGaAs/GaAs量子点在CMOS兼容硅衬底上的生长
介观与纳米尺度物理
2023-11-28 v1 应用物理
摘要
我们展示了在硅上直接异质外延生长高品质InGaAs量子点，从而实现与CMOS技术兼容、可扩展且低成本的量子光子器件。通过GaP缓冲层和缺陷减少层在硅上生长GaAs异质结构。这些外延量子点展现出与传统GaAs衬底上相似的光学特性，为异质外延方法提供了巨大潜力。它们在非共振激发下表现出强多光子抑制，，且高光子不可区分性%。借助背面分布式布拉格反射镜，我们实现了高达（）%的光子提取效率，标志着向硅基量子纳米光子学迈出了关键一步。
引用
@article{arxiv.2311.14849,
title = {High-quality single InGaAs/GaAs quantum dot growth on a CMOS-compatible silicon substrate for quantum photonic applications},
author = {Imad Limame and Peter Ludewig and Ching-Wen Shih and Marcel Hohn and Chirag C. Palekar and Wolfgang Stolz and Stephan Reitzenstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.14849},
year = {2023}
}