用于相干单光子产生的 GaAs-on-insulator 波导中量子点的电学控制
光学
2025-08-07 v1 量子物理
摘要
将相干量子发射器与硅光子平台集成对于可扩展量子技术至关重要。我们展示了嵌入在 GaAs 波导中的自组装量子点的电学控制，该波导键合在 SiO2/Si 衬底上并与低损耗 SiN 波导耦合。我们的方法采用芯片间粘合键合工艺，实现了一个包含 p-i-n 结的 GaAs-on-insulator 平台，用于抑制电荷噪声和激子跃迁的 Stark 调谐。共振荧光测量揭示了低于 2 eV 的窄光学线宽和高的单光子纯度，与未加工 GaAs 器件的性能相匹配。这些结果确立了一条将高相干量子光源与成熟的硅光子学相集成的实用途径，从而实现可扩展的量子光子集成电路。
引用
@article{arxiv.2508.04584,
title = {Electrical control of quantum dots in GaAs-on-insulator waveguides for coherent single-photon generation},
author = {Hanna Salamon and Ying Wang and Arnulf Snedker-Nielsen and Atefeh Shadmani and Rüdiger Schott and Mircea Balauroiu and Nicolas Volet and Arne Ludwig and Leonardo Midolo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.04584},
year = {2025}
}