固态量子发射体在硅光子芯片上的混合集成
量子物理
2018-05-15 v1 应用物理
摘要
可扩展的量子光子系统需要将高效单光子源与集成光子器件耦合。固态量子发射体可高效产生单光子，而硅光子线路可在集成器件结构中对其进行操控。因此，结合这两种材料平台可显著提升集成量子光子器件的复杂度。本文展示了固态量子发射体在硅光子器件上的混合集成。我们开发了一种拾取-放置技术，能够以纳米级精度确定性地将外延生长的、发射波长位于通信波段的 InAs/InP 量子点定位在硅光子芯片上。我们采用绝热锥化方法将量子点的发射高效转移至波导。我们还集成了片上硅光子分束器以执行 Hanbury-Brown 和 Twiss 测量。我们的方法有望将预表征的 III-V 族量子光子器件集成到大规模光子结构中，从而实现由多个发射体与光子构成的复杂器件。
引用
@article{arxiv.1708.04614,
title = {Hybrid integration of solid-state quantum emitters on a silicon photonic chip},
author = {Je-Hyung Kim and Shahriar Aghaeimeibodi and Christopher J. K. Richardson and Richard P. Leavitt and Dirk Englund and Edo Waks},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.04614},
year = {2018}
}
备注
19 Pages in total, including 8 figures