集成 CMOS 兼容调谐的大规模量子 SiN 光子电路发射器
光学
2025-11-27 v1
摘要
下一代面向单光子水平的可扩展量子光子技术依赖于将优化的量子构件与最小光学耦合损失集成在一起。为实现这一目标，需在单个夹层芯片上实现异构集成。集成量子发射器是生成单光子、诱导量子非线性和产生纠缠的关键。本文演示了将已成熟的 InGaAs 量子点嵌入 GaAs 波导，集成到低损耗 SiN 光子平台上，采用商业可用的微转印工具实现 94.7% 的高加工产率。这些集成发射器嵌入 p-i-n 异质结结构中，可抑制噪声，实现近脱闪烁运行并可通过 CMOS 级电偏置实现波长调谐。通过本工作，我们为在单芯片上集成多样化量子光子器件铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2511.21529,
title = {Integrated emitters with CMOS-compatible tuning for large scale quantum SiN photonic circuits},
author = {Jasper De Witte and Atefeh Shadmani and Zhe Liu and Andraz Debevc and Tom Vandekerckhove and Marcus Albrechtsen and Rüdiger Schott and Arne Ludwig and Janez Krč and Gunther Roelkens and Leonardo Midolo and Bart Kuyken and Dries Van Thourhout},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.21529},
year = {2025}
}