基于掩埋应力层法的多层位点可控 InGaAs 量子点的外延生长与表征
介观与纳米尺度物理
2023-11-13 v1 应用物理
摘要
我们报道了采用掩埋应力层法制作的多层位点可控量子点的外延生长、理论建模以及结构与光学研究。该先进生长技术利用部分氧化 AlAs 层的应变诱导 InGaAs 量子点的位点选择性成核。通过应变诱导光谱纳米工程，我们实现了定位与非定位量子点发射能量约 150 meV 的分离，以及单层中发射体密度的局部增加。此外，通过堆叠三层位点可控发射体，我们实现了光强的三倍增加，并将系综发射的非均匀展宽降低 20%，这对于在微激光应用中使用 SCQD 尤为有价值。而且，我们通过调节生长和制备参数直接控制发射特性。我们对量子点位点可控生长的优化，推动了具有增强光-物质相互作用的光子器件，以及具有更高限制因子和自发发射耦合效率的微激光的发展。
引用
@article{arxiv.2311.05777,
title = {Epitaxial growth and characterization of multi-layer site-controlled InGaAs quantum dots based on the buried stressor method},
author = {Imad Limame and Ching-Wen Shih and Alexej Koltchanov and Fabian Heisinger and Felix Nippert and Moritz Plattner and Johannes Schall and Markus R. Wagner and Sven Rodt and Petr Klenovsky and Stephan Reitzenstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.05777},
year = {2023}
}