SiO2图案下Ge基板GaAs选择性生长
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们利用200 nm薄SiO2掩膜层，在Ge基板上选择性生长了薄单晶GaAs薄膜。选择生长结构的横向尺寸范围从1 μm宽度到1×1 mm2的大面积。通过优化的生长程序实现了完全的选择性生长，该程序包括在高压下生长13 nm薄核层，随后在低压下生长GaAs。这种生长程序抑制了掩膜区域上GaAs的核生长，在减少负载效应和抑制GaAs中反位域生长之间取得了良好的折中。尽管如此，无论是微观还是宏观负载效应，仍可在断面扫描电子显微镜图像和轮廓仪测量中观察到。X射线衍射和低温光致发光测量表明，所选生长的GaAs具有良好的微观特性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703664,
title = {Selective Epitaxial Growth of GaAs on Ge Substrates with a SiO2 Pattern},
author = {G. Brammertz and M. Caymax and Y. Mols and S. Degroote and M. Leys and J. Van Steenbergen and G. Winderickx and G. Borghs and M. Meuris},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703664},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 6 figures