利用 Ge 上图形化石墨烯进行 GaAs 薄膜的选择区外延
材料科学
2022-02-16 v1 应用物理
摘要
我们展示了在 Ge (001) 衬底上使用图形化石墨烯掩模进行 GaAs 薄膜的选择区外延。对于大到 10 微米的石墨烯间距，GaAs 选择性地生长在 Ge 衬底的暴露区域上。选择性高度依赖于生长温度和退火时间，我们从温度相关的黏附系数和表面扩散角度对此进行解释。数微米尺度上的高成核选择性对远程外延的实验实现提出了限制。
引用
@article{arxiv.2111.01346,
title = {Selective area epitaxy of GaAs films using patterned graphene on Ge},
author = {Zheng Hui Lim and Sebastian Manzo and Patrick J. Strohbeen and Vivek Saraswat and Michael S. Arnold and Jason K. Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.01346},
year = {2022}
}