分子束外延生长的GaMnAs/GaAs(001)薄膜的电学与光学研究
介观与纳米尺度物理
2015-06-24 v1
摘要
采用低与高基底温度通过分子束外延生长了GaMnAs/GaAs薄膜。利用霍尔效应与光致发光（PL）测量在8至300 K范围内对薄膜进行了研究。在低基底温度生长的样品中载流子浓度高于在高基底温度生长的样品。PL光谱显示出GaAs激子峰、涉及碳受主的峰、替代式Mn受主相关峰以及光学声子相关峰。
引用
@article{arxiv.1503.02686,
title = {Electrical and optical studies of GaMnAs/GaAs(001) thin films grown by molecular beam epitaxy},
author = {J. F. Xu and S. W. Liu and M. Xiao and P. M. Thibado},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.02686},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 3 figures