GaMnAs：层、线和点
材料科学
2008-08-22 v1
摘要
研究了通过分子束外延在GaAs(001)衬底上生长的GaMnAs铁磁半导体薄膜。为了改善其磁性能，采用了使用非晶砷钝化层的生长后退火工艺。这种生长后处理有效地提高了GaMnAs中铁磁-顺磁相变温度，并提供了富含表面的MnAs层，可用于形成超晶格等低维结构。如果富含表面的MnAs层由MnAs点组成，则可以生长Mn掺杂的GaAs纳米线。
引用
@article{arxiv.0808.2887,
title = {GaMnAs: layers, wires and dots},
author = {Janusz Sadowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.2887},
year = {2008}
}
备注
15 pages, 14 figures. To be published in Proc. XXXVII International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2008", June 2008, Poland