在GaN(0001)-(1x1)表面上生长的MnAs量子点
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
通过MBE在GaN(0001)-(1x1)表面上生长了MnAs。采用了两种启动晶体生长的方案：(a) 常规MBE程序（锰和砷同时输送）和(b) 随后沉积锰和砷层。结果表明，对于大于5 ML的层厚，自发形成了MnAs量子点，其表面密度分别为1·10¹¹ cm⁻²和2.5·10¹¹ cm⁻²（如AFM所观察）。通过共振光电子能谱研究了MnAs/GaN系统的电子结构。这导致了Mn 3d相关贡献对MnAs总态密度(DOS)分布的确定。已经证明，通过两种程序生长的MnAs量子点的电子结构显著不同。一种对应于金属性的、铁磁性的NiAs型MnAs，另一种类似于半金属闪锌矿MnAs的报告结果。两个系统都表现为超顺磁性（如磁化测量所揭示），但阻塞温度和点内居里温度都显著不同。前者的点内居里温度约为260 K，而后者的点内居里温度显著高于室温。讨论了生长过程、电子结构和所研究系统的其他性质之间的关系。考虑了在GaN上形成半金属MnAs的可能机制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702444,
title = {MnAs dots grown on GaN(0001)-(1x1) surface},
author = {I. A. Kowalik and B. J. Kowalski and R. J. Iwanowski and K. Kopalko and E. Łusakowska and M. Sawicki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702444},
year = {2009}
}
备注
20+ pages, 8 figures