MnAs 纳米盘中近 40~$^{\circ }$C 相变处的成核
介观与纳米尺度物理
2019-07-17 v1 材料科学
摘要
研究了通过分子束外延在 GaAs(001) 上制备的两种外延生长 MnAs 薄膜以及由同种薄膜制作的纳米尺度圆盘在近 40~C 的相变。发现这些圆盘在相组成的温度曲线中表现出明显的滞回。相比之下，连续层样品中的过冷与过热现象要少得多。这些现象以每个圆盘内相互独立地形成另一相的核之必要性加以解释。圆盘中的弹性应变影响被显著降低。
引用
@article{arxiv.1907.07027,
title = {Nucleation at the phase transition near 40~$^{\circ }$C in MnAs nanodisks},
author = {B Jenichen and Y Takagaki and K H Ploog and N Darowski and R Feyerherm and I Zizak},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.07027},
year = {2019}
}