铁磁Mn掺杂GaMnAs层上非晶态MnAs量子点结晶生长
材料科学
2007-05-23 v2
摘要
在MBE生长的(GaMn)As表面经低温退火并覆盖As后，发现MnAs量子点以规则的环形分布形成。Mn来源于(GaMn)As中的Mn嵌段扩散。当掺杂Mn为5at%时，量子点在(GaMn)As层厚度超过500Å时才会出现。对于较薄的层，Mn富集表面（可能为单层厚的MnAs）光滑且有序(1x2)，适合继续进行等向生长。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504074,
title = {Solid phase epitaxy of ferromagnetic MnAs dots on GaMnAs layers},
author = {J. Sadowski and M. Adell and J. Kanski and L. Ilver and E. Janik and E. Lusakowska and J. Z. Domagala and R. Brucas and M. Hanson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504074},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 4 figures