在(Ga,Mn)As上外延生长MnBi层
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
利用基于同步辐射的光电子能谱研究了MnBi在MnAs终止的(GaMn)As上的初始生长过程。通过对表面芯能级位移的分析，我们得出结论：形成了连续的外延MnBi层，其中MnAs/MnBi界面出现在As和Bi原子平面之间。MnAs表面清晰的1×2表面重构在MnBi覆盖度达到2个单层之前得以保持，之后出现明显的表面退化。
引用
@article{arxiv.0903.1266,
title = {Formation of Epitaxial MnBi Layers on (Ga,Mn)As},
author = {J. Adell and M. Adell and I. Ulfat and L. Ilver and J. Sadowski and J. Kanski},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.1266},
year = {2015}
}
备注
18 pages, 5 figures