InAs(111)A与B衬底上铋单晶的形成
材料科学
2018-07-03 v1
摘要
利用同步辐射光电子能谱、低能电子衍射和扫描隧道显微镜研究了沉积在InAs(111)的A面和B面上的Bi薄膜生长。Bi沉积引起的In 4d与Bi 5d5/2光电子信号变化，使人们获得Bi/InAs(1 1 1)界面的完整图像。从初始阶段起，Bi在A面（In终止的InAs）上的生长为外延生长，而在B面（As终止的InAs）上则通过岛状形成进行，与之相反。角分辨光电子能谱显示，A面上约~BL厚度的沉积层电子结构与块体Bi相同，而B面需要超过约~BL。完全相对论性第一性原理自旋分辨光发射计算很好地解释了块体与表面态。
引用
@article{arxiv.1807.00306,
title = {Bi monocrystal formation on InAs(111)A and B substrates},
author = {L. Nicolaï and J. -M. Mariot and U. Djukic and W. Wang and O. Heckmann and M. C. Richter and J. Kanski and M. Leandersson and J. Sadowski and T. Balasubramanian and I. Vobornik and J. Fujii and J. Braun and H. Ebert and J. Minár and K. Hricovini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.00306},
year = {2018}
}
备注
7 pages, 7 figures