GaAs上异质外延GaSbBi薄膜的电子性质
材料科学
2024-11-05 v1 应用物理
摘要
我们报告了在半绝缘 GaAs(100) 衬底上生长的具有不同 Bi 浓度（高达 7% Bi）的异质外延 GaSbBi 薄膜的电子、结构和光学性质。1 μm 厚的 GaSbBi 外延层表现出完全弛豫的窄 X 射线衍射峰和光滑的表面形貌，与 GaAs 上高质量 GaSb 外延层相当。低温光致发光光谱显示出与 Bi 合金化一致的带隙收缩。电学霍尔测量表明，对于名义上未掺杂的 GaSbBi 合金，空穴浓度随 Bi 含量增加而降低，但空穴迁移率不变。残余空穴浓度从参考 GaSb 样品的 水平降低到随 Bi 含量增加的低 水平。观察到约 的空穴迁移率值，与 Bi 含量无关。这些依赖性归因于 Bi 的表面活性效应和 Bi 诱导的缺陷形成。
引用
@article{arxiv.2411.01937,
title = {Electronic properties of metamorphic GaSbBi films on GaAs},
author = {Joonas Hilska and Janne Puustinen and Eero Koivusalo and Mircea Guina},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.01937},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 4 figures