分子束外延生长纳米结构 GaN 薄膜的形态依赖表面性质
材料科学
2018-01-09 v1
摘要
针对分子束外延生长的氮化镓外延薄膜，分析了薄膜形态对其表面化学与能带结构的影响。利用扫描电子显微镜与原子力显微镜研究了薄膜形态，并利用 X 射线光电子能谱与阴极发光光谱研究了能带结构、缺陷与发光性质。发现高度多孔的 GaN 纳米壁网络具有最高的相对电导率且无非缺陷相关发光。较平坦的薄膜电阻更大并由于 Ga 空位而呈现黄光发光。GaN 纳米壁网络表现出费米能级钉扎在价带顶之上 (1.8 0.2) eV 处，表明 GaN 纳米壁网络表面存在 Ga 吸附层。发现 Ar 离子溅射优先溅射 N 原子从而导致表面金属化。
引用
@article{arxiv.1801.02374,
title = {Morphology dependent surface properties of nanostructured GaN films grown by molecular beam epitaxy},
author = {Abhijit Chatterjee and S. P. Swathi and S. M. Shivaprasad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.02374},
year = {2018}
}
备注
15 pages, 7 figures