GaN 纳米墙网络：获得高效 p-GaN 和增强光提取的可能新途径
材料科学
2016-12-01 v1
摘要
我们证明，以纳米墙网络（NwN）形貌形成的 GaN 能够克服光电子器件中的根本性限制，实现高光提取和有效的 Mg 掺入以获得高效 p-GaN。我们报道了通过等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）生长 Mg 掺杂 GaN 纳米墙网络（NwN），并利用光致发光（PL）光谱、拉曼光谱、高分辨率 X 射线衍射（HR-XRD）、X 射线光电子能谱（XPS）和二次离子质谱（SIMS）对其进行了表征。我们记录到轻掺杂 GaN 的光致发光增强（约 3.2 倍）相比于未掺杂的 NwN。对于重掺杂 GaN（Mg >10^{20} atoms cm^{-3}），出现两个明显（且宽）的蓝色发光峰，位于 2.95 eV 和 2.7 eV，其中 2.95 eV 峰对退火敏感。XPS 和 SIMS 测量估计 GaN NwN 形貌中掺入的 Mg 浓度为 10^{20} atoms cm^{-3}，同时保持其约 3.4 eV 的带边发射。SIMS 测量观察到 Mg 在 GaN/Al_2O_3 界面处的积累高于表面。
引用
@article{arxiv.1611.10263,
title = {GaN Nanowall Network: A new possible route to obtain efficient p-GaN and enhanced light extraction},
author = {Sanjay Kumar Nayak and Mukul Gupta and S. M. Shivaprasad},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.10263},
year = {2016}
}